Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC034N03LSGATMA1
BSC034N03LSGATMA1

BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC034N03LSGATMA1 за ціною від 26.34 грн до 106.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.12 грн
290+48.91 грн
342+41.42 грн
344+39.72 грн
500+34.15 грн
1000+28.58 грн
3000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.52 грн
16+49.12 грн
25+48.91 грн
100+39.94 грн
250+36.78 грн
500+32.79 грн
1000+28.58 грн
3000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef Description: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.94 грн
10+65.52 грн
100+43.71 грн
500+32.24 грн
1000+29.41 грн
2000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N03LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
288+49.12 грн
290+48.91 грн
342+41.42 грн
344+39.72 грн
500+34.15 грн
1000+28.58 грн
3000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 3702bsc034n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.52 грн
16+49.12 грн
25+48.91 грн
100+39.94 грн
250+36.78 грн
500+32.79 грн
1000+28.58 грн
3000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.94 грн
10+65.52 грн
100+43.71 грн
500+32.24 грн
1000+29.41 грн
2000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N03LSGATMA1 Infineon-BSC034N03LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf
BSC034N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.