BSC034N06NSATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 55.24 грн |
| 500+ | 48.60 грн |
| 1000+ | 44.37 грн |
| 5000+ | 42.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC034N06NSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC034N06NSATMA1 за ціною від 42.37 грн до 186.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 3698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 3698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 23703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V |
на замовлення 3117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 11977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSC034N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |