Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC034N06NSATMA1
BSC034N06NSATMA1

BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 74W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

Інші пропозиції BSC034N06NSATMA1 за ціною від 26.78 грн до 106.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.96 грн
10+80.29 грн
25+79.48 грн
100+71.72 грн
250+65.59 грн
500+60.40 грн
1000+55.46 грн
3000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+84.96 грн
175+80.29 грн
177+79.48 грн
189+71.72 грн
250+65.59 грн
500+60.40 грн
1000+55.46 грн
3000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 23703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.86 грн
164+85.93 грн
178+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.99 грн
10+65.45 грн
100+43.52 грн
500+32.01 грн
1000+29.17 грн
2000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 7069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+84.96 грн
10+80.29 грн
25+79.48 грн
100+71.72 грн
250+65.59 грн
500+60.40 грн
1000+55.46 грн
3000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+84.96 грн
175+80.29 грн
177+79.48 грн
189+71.72 грн
250+65.59 грн
500+60.40 грн
1000+55.46 грн
3000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 23703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+88.86 грн
164+85.93 грн
178+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.99 грн
10+65.45 грн
100+43.52 грн
500+32.01 грн
1000+29.17 грн
2000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 2354550.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 7069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 2354550.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.