Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC034N06NSATMA1
BSC034N06NSATMA1

BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC034N06NSATMA1 за ціною від 44.18 грн до 111.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.05 грн
500+52.23 грн
1000+46.47 грн
5000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+68.35 грн
10+64.59 грн
25+63.94 грн
100+57.70 грн
250+52.76 грн
500+48.59 грн
1000+44.61 грн
3000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.61 грн
175+69.56 грн
177+68.86 грн
189+62.14 грн
250+56.82 грн
500+52.33 грн
1000+48.05 грн
3000+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 23703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+76.99 грн
164+74.45 грн
178+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.63 грн
10+70.75 грн
100+59.67 грн
500+53.47 грн
1000+52.03 грн
2000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.27 грн
10+83.03 грн
100+68.05 грн
500+52.23 грн
1000+46.47 грн
5000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN-3360884.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 17108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.75 грн
10+85.12 грн
100+60.23 грн
250+59.14 грн
500+54.21 грн
1000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.