Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC034N06NSATMA1
BSC034N06NSATMA1

BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm.

Інші пропозиції BSC034N06NSATMA1 за ціною від 43.18 грн до 123.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.21 грн
10+ 67.77 грн
25+ 67.08 грн
100+ 58.21 грн
250+ 52.97 грн
500+ 46.81 грн
1000+ 43.62 грн
3000+ 43.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.84 грн
500+ 60.15 грн
1000+ 47.76 грн
5000+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 23703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+76.94 грн
158+ 74.5 грн
193+ 60.75 грн
Мінімальне замовлення: 153
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
149+78.84 грн
161+ 72.98 грн
162+ 72.24 грн
181+ 62.68 грн
250+ 57.04 грн
500+ 50.42 грн
1000+ 46.97 грн
3000+ 46.5 грн
Мінімальне замовлення: 149
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN-3360884.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 17485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.59 грн
10+ 87.52 грн
100+ 63.96 грн
250+ 63.36 грн
500+ 55.68 грн
1000+ 49.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.49 грн
10+ 99.03 грн
100+ 78.84 грн
500+ 62.61 грн
1000+ 53.12 грн
2000+ 50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.57 грн
10+ 95.11 грн
100+ 73.84 грн
500+ 60.15 грн
1000+ 47.76 грн
5000+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній