BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 94.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Інші пропозиції BSC034N10LS5ATMA1 за ціною від 104.58 грн до 53793.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V |
на замовлення 16509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 23877 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC034N10LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 9981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC034N10LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 9981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 131.46 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 131.46 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 135.91 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 136.31 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1990000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 164.59 грн |
| 1000000+ | 151.13 грн |
| 1500000+ | 141.35 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 232.19 грн |
| 10+ | 193.04 грн |
| 25+ | 191.17 грн |
| 50+ | 181.03 грн |
| 100+ | 152.02 грн |
| 250+ | 144.51 грн |
| 500+ | 135.85 грн |
| 1000+ | 113.39 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 232.19 грн |
| 74+ | 193.04 грн |
| 75+ | 191.17 грн |
| 76+ | 181.03 грн |
| 100+ | 152.02 грн |
| 250+ | 144.51 грн |
| 500+ | 135.85 грн |
| 1000+ | 113.39 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.42 грн |
| 10+ | 187.03 грн |
| 50+ | 145.25 грн |
| 100+ | 123.70 грн |
| 500+ | 104.90 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 23877 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 327.63 грн |
| 10+ | 165.68 грн |
| 100+ | 130.91 грн |
| 500+ | 110.43 грн |
| 2500+ | 104.58 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 53793.06 грн |
| 100+ | 47520.75 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 9981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC034N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 9981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)