Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC034N10LS5ATMA1
BSC034N10LS5ATMA1

BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+101.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Інші пропозиції BSC034N10LS5ATMA1 за ціною від 85.28 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 16285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.81 грн
500+103.08 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+140.04 грн
25+132.25 грн
100+114.07 грн
250+108.05 грн
500+103.79 грн
1000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC034N10LS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+141.85 грн
100+107.84 грн
500+100.09 грн
1000+95.15 грн
2500+89.51 грн
5000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 16252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+143.90 грн
100+125.81 грн
500+103.08 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 16285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+125.81 грн
500+103.08 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
10+140.04 грн
25+132.25 грн
100+114.07 грн
250+108.05 грн
500+103.79 грн
1000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon_BSC034N10LS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+141.85 грн
100+107.84 грн
500+100.09 грн
1000+95.15 грн
2500+89.51 грн
5000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 16252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+176.79 грн
10+143.90 грн
100+125.81 грн
500+103.08 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.