Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC035N04LSGATMA1
BSC035N04LSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.48 грн
10000+16.51 грн
15000+15.86 грн
25000+14.20 грн
35000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції BSC035N04LSGATMA1 за ціною від 18.64 грн до 104.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 43439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+47.46 грн
100+31.09 грн
500+22.56 грн
1000+20.43 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.11 грн
150+94.86 грн
184+77.18 грн
200+69.67 грн
500+64.29 грн
1000+54.82 грн
2000+51.11 грн
5000+49.67 грн
10000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC035N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360723.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 20592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
252+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 43439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.04 грн
10+47.46 грн
100+31.09 грн
500+22.56 грн
1000+20.43 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.11 грн
150+94.86 грн
184+77.18 грн
200+69.67 грн
500+64.29 грн
1000+54.82 грн
2000+51.11 грн
5000+49.67 грн
10000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 Infineon_BSC035N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360723.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 20592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.