Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC035N04LSGATMA1
BSC035N04LSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+25.21 грн
10000+22.65 грн
15000+21.82 грн
25000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC035N04LSGATMA1 за ціною від 23.75 грн до 102.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.69 грн
250+37.91 грн
1000+26.57 грн
3000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.23 грн
50+47.69 грн
250+37.91 грн
1000+26.57 грн
3000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC035N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360723.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.39 грн
10+74.81 грн
100+48.07 грн
500+37.92 грн
1000+31.86 грн
5000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 44646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+62.08 грн
100+41.19 грн
500+30.24 грн
1000+27.53 грн
2000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+47.69 грн
250+37.91 грн
1000+26.57 грн
3000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.23 грн
50+47.69 грн
250+37.91 грн
1000+26.57 грн
3000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 Infineon_BSC035N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360723.pdf
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.39 грн
10+74.81 грн
100+48.07 грн
500+37.92 грн
1000+31.86 грн
5000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 44646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.29 грн
10+62.08 грн
100+41.19 грн
500+30.24 грн
1000+27.53 грн
2000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.