Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC035N10NS5ATMA1
BSC035N10NS5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC035N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC035N10NS5ATMA1 за ціною від 82.65 грн до 414.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.73 грн
10+101.96 грн
100+92.24 грн
500+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC035N10NS5_DataSheet_v02_05_EN-3360820.pdf MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.61 грн
10+122.34 грн
25+104.85 грн
100+95.66 грн
500+92.60 грн
2500+88.01 грн
5000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+137.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.10 грн
250+134.79 грн
1000+114.80 грн
3000+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.12 грн
50+139.08 грн
250+128.78 грн
1000+116.39 грн
3000+104.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+170.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.74 грн
10+252.12 грн
25+249.62 грн
100+210.55 грн
250+192.99 грн
500+167.51 грн
1000+165.82 грн
3000+164.19 грн
6000+162.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+295.87 грн
46+268.82 грн
100+226.75 грн
250+207.83 грн
500+180.39 грн
1000+178.57 грн
3000+176.82 грн
6000+175.00 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+414.75 грн
47+264.69 грн
58+214.67 грн
100+193.94 грн
500+158.17 грн
1000+142.02 грн
2000+138.45 грн
5000+133.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1
Код товару: 192220
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.