BSC035N10NS5ATMA1
Код товару: 192220
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSC035N10NS5ATMA1 за ціною від 71.80 грн до 469.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 3769 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V |
на замовлення 14882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5 |
на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 19078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |