Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC035N10NS5ATMA1
BSC035N10NS5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC035N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC035N10NS5ATMA1 за ціною від 77.72 грн до 413.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.10 грн
10+100.54 грн
100+90.95 грн
500+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+137.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.99 грн
250+132.90 грн
1000+113.19 грн
3000+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.84 грн
50+137.13 грн
250+126.98 грн
1000+114.76 грн
3000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC035N10NS5_DataSheet_v02_05_EN-3360820.pdf MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.48 грн
10+134.51 грн
100+98.85 грн
500+92.06 грн
1000+91.31 грн
5000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+196.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+295.16 грн
46+268.17 грн
100+226.20 грн
250+207.33 грн
500+179.96 грн
1000+178.14 грн
3000+176.40 грн
6000+174.58 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.24 грн
10+290.21 грн
25+287.33 грн
100+242.36 грн
250+222.14 грн
500+192.82 грн
1000+190.87 грн
3000+189.00 грн
6000+187.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+413.75 грн
47+264.05 грн
58+214.15 грн
100+193.47 грн
500+157.79 грн
1000+141.68 грн
2000+138.12 грн
5000+132.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1
Код товару: 192220
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.