BSC035N10NS5ATMA1
Код товару: 192220
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSC035N10NS5ATMA1 за ціною від 88.36 грн до 207.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 12451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 12451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5 |
на замовлення 13349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 116.84 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 116.84 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 156.99 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 169.84 грн |
| 10+ | 136.88 грн |
| 25+ | 135.52 грн |
| 100+ | 120.56 грн |
| 250+ | 110.52 грн |
| 500+ | 99.49 грн |
| 1000+ | 98.50 грн |
| 3000+ | 88.36 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 169.84 грн |
| 103+ | 136.88 грн |
| 104+ | 135.52 грн |
| 113+ | 120.56 грн |
| 250+ | 110.52 грн |
| 500+ | 99.49 грн |
| 1000+ | 98.50 грн |
| 3000+ | 88.36 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 172.76 грн |
| 101+ | 139.57 грн |
| 111+ | 127.59 грн |
| 500+ | 119.76 грн |
| 5000+ | 92.03 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 207.00 грн |
| 100+ | 149.23 грн |
| 500+ | 129.01 грн |
| 5000+ | 116.05 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
на замовлення 13349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC035N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)