Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC036NE7NS3GATMA1

BSC036NE7NS3GATMA1

BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
Код товару: 185447
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC036NE7NS3GATMA1 за ціною від 50.12 грн до 191.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.21 грн
10+113.09 грн
25+112.52 грн
100+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.21 грн
125+112.52 грн
169+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 9973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.66 грн
10+112.37 грн
100+76.89 грн
500+57.90 грн
1000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.97 грн
77+184.66 грн
100+178.39 грн
250+166.80 грн
500+150.25 грн
1000+140.71 грн
2500+137.61 грн
5000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC036NE7NS3_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+133.21 грн
10+113.09 грн
25+112.52 грн
100+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+133.21 грн
125+112.52 грн
169+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 9973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.66 грн
10+112.37 грн
100+76.89 грн
500+57.90 грн
1000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+191.97 грн
77+184.66 грн
100+178.39 грн
250+166.80 грн
500+150.25 грн
1000+140.71 грн
2500+137.61 грн
5000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon_BSC036NE7NS3_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.