BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 122.38 грн |
| 125+ | 103.37 грн |
| 169+ | 74.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC036NE7NS3GATMA1 за ціною від 60.94 грн до 207.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 |
на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 6026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC036NE7NS3GATMA1 Код товару: 185447
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
товару немає в наявності |