Інші пропозиції BSC036NE7NS3GATMA1 за ціною від 68.51 грн до 235.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSC036NE7NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.30 грн |
| 10+ | 132.94 грн |
| 100+ | 91.79 грн |
| BSC036NE7NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.18 грн |
| 10+ | 142.66 грн |
| 100+ | 93.74 грн |
| 500+ | 78.94 грн |
| 1000+ | 72.60 грн |
| 2500+ | 68.51 грн |