Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC037N08NS5ATMA1
BSC037N08NS5ATMA1

BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC037N08NS5ATMA1 за ціною від 38.21 грн до 212.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.35 грн
500+79.06 грн
1000+64.25 грн
5000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+137.26 грн
500+124.04 грн
1000+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+137.26 грн
500+124.04 грн
1000+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+152.11 грн
84+146.41 грн
111+110.62 грн
500+67.85 грн
1000+52.00 грн
2000+47.41 грн
5000+42.67 грн
7500+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 12075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.75 грн
10+133.48 грн
100+99.46 грн
500+75.70 грн
1000+69.80 грн
2000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+189.97 грн
10+140.04 грн
25+129.21 грн
100+97.87 грн
250+86.70 грн
500+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+204.59 грн
81+150.81 грн
88+139.15 грн
112+105.39 грн
250+93.37 грн
500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.02 грн
10+151.09 грн
100+109.35 грн
500+79.06 грн
1000+64.25 грн
5000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC037N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360724.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 11224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.70 грн
10+154.89 грн
25+124.27 грн
100+98.23 грн
250+95.99 грн
500+80.37 грн
1000+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E0B3F440811C&compId=BSC037N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=068004eaadd07b73cbe8cb48d01465db41fd351d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E0B3F440811C&compId=BSC037N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=068004eaadd07b73cbe8cb48d01465db41fd351d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.