BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 55.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC037N08NS5ATMA1 за ціною від 43.70 грн до 262.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V |
на замовлення 6921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 |
на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: POWERTDFN-8 Од. кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |