BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 51.87 грн |
| 10000+ | 48.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.
Інші пропозиції BSC037N08NS5ATMA1 за ціною від 43.99 грн до 235.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V |
на замовлення 19961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 |
на замовлення 10898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 10677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 10677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 91.34 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 91.50 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 158.05 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| 1000+ | 131.12 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 158.05 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| 1000+ | 131.12 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 175.14 грн |
| 84+ | 168.59 грн |
| 111+ | 127.38 грн |
| 500+ | 78.12 грн |
| 1000+ | 59.88 грн |
| 2000+ | 54.59 грн |
| 5000+ | 49.13 грн |
| 7500+ | 43.99 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 19961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.04 грн |
| 10+ | 115.78 грн |
| 100+ | 79.33 грн |
| 500+ | 59.82 грн |
| 1000+ | 55.75 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 235.57 грн |
| 10+ | 173.66 грн |
| 25+ | 160.22 грн |
| 100+ | 121.36 грн |
| 250+ | 107.52 грн |
| 500+ | 79.34 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 235.57 грн |
| 81+ | 173.66 грн |
| 88+ | 160.22 грн |
| 112+ | 121.36 грн |
| 250+ | 107.52 грн |
| 500+ | 79.34 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 10898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 10677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC037N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 10677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)