BSC039N06NS Infineon Technologies
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 104+ | 117.63 грн |
| 108+ | 113.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC039N06NS Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 69W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.9mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSC039N06NS за ціною від 48.04 грн до 152.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC039N06NS | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 |
на замовлення 12616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC039N06NS | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC039N06NS | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |