BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC039N06NSATMA1 за ціною від 44.84 грн до 170.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7 Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7 Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 13621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
10+67.67 грн
100+56.22 грн
500+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.64 грн
500+82.00 грн
1000+61.33 грн
2500+59.84 грн
5000+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 34542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+121.33 грн
111+109.93 грн
136+90.23 грн
200+81.40 грн
1000+66.76 грн
2000+59.83 грн
5000+58.22 грн
10000+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC039N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360752.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
на замовлення 45670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.88 грн
10+88.83 грн
100+61.80 грн
250+55.76 грн
500+52.09 грн
1000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+129.59 грн
10+107.67 грн
25+106.54 грн
100+81.22 грн
250+74.19 грн
500+62.25 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+139.56 грн
106+115.95 грн
107+114.73 грн
135+87.47 грн
250+79.89 грн
500+67.04 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.01 грн
10+133.70 грн
100+105.64 грн
500+82.00 грн
1000+61.33 грн
2500+59.84 грн
5000+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.