Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC039N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 560477-7
Price: 374.50 UAH
Availability: InStock

infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_04-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	37.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC039N06NSATMA1 за ціною від 30.95 грн до 186.33 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
317+	39.92 грн
330+	38.31 грн
500+	36.93 грн
1000+	34.45 грн
2500+	30.95 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	47.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
212+	59.81 грн
213+	59.36 грн
232+	54.64 грн
250+	52.58 грн
500+	47.69 грн
1000+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 212

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 33852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
204+	62.20 грн
214+	59.08 грн
217+	58.49 грн
234+	52.26 грн
2000+	47.18 грн
5000+	45.15 грн

Мінімальне замовлення: 204

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	72.68 грн
12+	64.08 грн
25+	63.60 грн
100+	56.45 грн
250+	52.16 грн
500+	49.06 грн
1000+	44.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	74.53 грн
250+	65.93 грн
1000+	57.06 грн
3000+	49.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
169+	75.07 грн
170+	74.40 грн
176+	72.23 грн
199+	61.53 грн
250+	56.78 грн
500+	52.71 грн
1000+	42.55 грн

Мінімальне замовлення: 169

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 13131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
277+	91.41 грн
500+	82.27 грн
1000+	75.88 грн
10000+	65.23 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 82226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
277+	91.41 грн
500+	82.27 грн
1000+	75.88 грн
10000+	65.23 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 6748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	94.96 грн
50+	74.53 грн
250+	65.93 грн
1000+	57.06 грн
3000+	49.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	101.48 грн
10+	80.62 грн
25+	79.90 грн
50+	74.79 грн
100+	61.18 грн
250+	58.55 грн
500+	56.62 грн
1000+	45.70 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 5325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	172.77 грн
10+	106.31 грн
100+	72.38 грн
500+	54.29 грн
1000+	52.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC039N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360752.pdf

MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8

на замовлення 2273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	186.33 грн
10+	116.63 грн
100+	69.40 грн
500+	57.90 грн
1000+	50.95 грн
2500+	47.20 грн
5000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.