Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC039N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 560477-7
Price: 357.20 UAH
Availability: InStock

infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_04-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC039N06NSATMA1 за ціною від 29.87 грн до 177.72 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
317+	38.52 грн
330+	36.98 грн
500+	35.64 грн
1000+	33.25 грн
2500+	29.87 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	47.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
212+	57.72 грн
213+	57.29 грн
232+	52.73 грн
250+	50.75 грн
500+	46.03 грн
1000+	39.85 грн

Мінімальне замовлення: 212

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 33852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
204+	60.03 грн
214+	57.02 грн
217+	56.45 грн
234+	50.43 грн
2000+	45.54 грн
5000+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 204

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	70.15 грн
12+	61.84 грн
25+	61.38 грн
100+	54.48 грн
250+	50.34 грн
500+	47.34 грн
1000+	42.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	71.09 грн
250+	62.88 грн
1000+	54.43 грн
3000+	47.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
169+	72.45 грн
170+	71.81 грн
176+	69.71 грн
199+	59.38 грн
250+	54.80 грн
500+	50.87 грн
1000+	41.07 грн

Мінімальне замовлення: 169

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 11741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	85.69 грн
10+	65.37 грн
100+	56.85 грн
500+	52.83 грн
1000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 13131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
277+	88.22 грн
500+	79.40 грн
1000+	73.23 грн
10000+	62.95 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 82226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
277+	88.22 грн
500+	79.40 грн
1000+	73.23 грн
10000+	62.95 грн

Мінімальне замовлення: 277

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 6748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	90.57 грн
50+	71.09 грн
250+	62.88 грн
1000+	54.43 грн
3000+	47.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	97.94 грн
10+	77.81 грн
25+	77.11 грн
50+	72.18 грн
100+	59.04 грн
250+	56.50 грн
500+	54.64 грн
1000+	44.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC039N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360752.pdf

MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8

на замовлення 2273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	177.72 грн
10+	111.24 грн
100+	66.19 грн
500+	55.22 грн
1000+	48.59 грн
2500+	45.01 грн
5000+	43.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSC039N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.