Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC039N06NSATMA1
BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+46.15 грн
330+44.30 грн
500+42.70 грн
1000+39.83 грн
2500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 317 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.

Інші пропозиції BSC039N06NSATMA1 за ціною від 25.15 грн до 119.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+69.14 грн
213+68.63 грн
232+63.17 грн
250+60.79 грн
500+55.14 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+71.91 грн
214+68.31 грн
217+67.62 грн
234+60.42 грн
2000+54.55 грн
5000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.43 грн
12+69.14 грн
25+68.63 грн
100+60.91 грн
250+56.29 грн
500+52.93 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+86.79 грн
170+86.02 грн
176+83.51 грн
199+71.14 грн
250+65.64 грн
500+60.94 грн
1000+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7 Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.31 грн
10+63.82 грн
50+47.56 грн
100+39.71 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+105.68 грн
500+95.11 грн
1000+87.73 грн
10000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 82226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+105.68 грн
500+95.11 грн
1000+87.73 грн
10000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.50 грн
10+86.99 грн
25+86.21 грн
50+80.70 грн
100+66.02 грн
250+63.17 грн
500+61.09 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc039n06ns_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
на замовлення 67193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+119.99 грн
10+55.34 грн
100+42.79 грн
500+33.41 грн
1000+31.46 грн
2500+28.45 грн
5000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 INFINEON INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 INFINEON INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+69.14 грн
213+68.63 грн
232+63.17 грн
250+60.79 грн
500+55.14 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 33852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
204+71.91 грн
214+68.31 грн
217+67.62 грн
234+60.42 грн
2000+54.55 грн
5000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.43 грн
12+69.14 грн
25+68.63 грн
100+60.91 грн
250+56.29 грн
500+52.93 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
169+86.79 грн
170+86.02 грн
176+83.51 грн
199+71.14 грн
250+65.64 грн
500+60.94 грн
1000+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.31 грн
10+63.82 грн
50+47.56 грн
100+39.71 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+105.68 грн
500+95.11 грн
1000+87.73 грн
10000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 82226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+105.68 грн
500+95.11 грн
1000+87.73 грн
10000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+109.50 грн
10+86.99 грн
25+86.21 грн
50+80.70 грн
100+66.02 грн
250+63.17 грн
500+61.09 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 infineon_bsc039n06ns_datasheet_en.pdf
BSC039N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
на замовлення 67193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.99 грн
10+55.34 грн
100+42.79 грн
500+33.41 грн
1000+31.46 грн
2500+28.45 грн
5000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC039N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NSATMA1 INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC039N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.