BSC0403NSATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 142.43 грн |
| 500+ | 112.38 грн |
| 1000+ | 101.62 грн |
| 2000+ | 98.80 грн |
| 5000+ | 93.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0403NSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC0403NSATMA1 за ціною від 93.15 грн до 284.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0403NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0403NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10 Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0403NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 9993 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC0403NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
JAM NUT RECEPTACLE |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BSC0403NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10 Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |