Продукція > INFINEON > BSC0403NSATMA1
BSC0403NSATMA1

BSC0403NSATMA1 INFINEON

3097835.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+87.05 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0403NSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC0403NSATMA1 за ціною від 74.01 грн до 273.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 INFINEON 3097835.pdf Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.33 грн
10+138.15 грн
100+96.21 грн
500+87.05 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0403NS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017015dda00a2215 Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.32 грн
10+160.73 грн
100+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0403NS_DataSheet-1770888.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
2+273.00 грн
10+241.54 грн
100+169.16 грн
500+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 3097835.pdf
BSC0403NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 9000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+211.33 грн
10+138.15 грн
100+96.21 грн
500+87.05 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 Infineon-BSC0403NS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017015dda00a2215
BSC0403NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+255.32 грн
10+160.73 грн
100+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 Infineon_BSC0403NS_DataSheet-1770888.pdf
BSC0403NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
КількістьЦіна
2+273.00 грн
10+241.54 грн
100+169.16 грн
500+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.