Продукція > INFINEON > BSC040N08NS5ATMA1
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1 Infineon

TBSC040n08ns5_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TBSC040n08ns5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC040N08NS5ATMA1 Infineon

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V.

Інші пропозиції BSC040N08NS5ATMA1 за ціною від 50.96 грн до 230.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.91 грн
10000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC040N08NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.66 грн
10+119.15 грн
100+74.01 грн
500+59.98 грн
1000+59.13 грн
5000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.74 грн
10+143.47 грн
100+98.64 грн
500+74.57 грн
1000+68.79 грн
2000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+64.91 грн
10000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon_BSC040N08NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+186.66 грн
10+119.15 грн
100+74.01 грн
500+59.98 грн
1000+59.13 грн
5000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+230.74 грн
10+143.47 грн
100+98.64 грн
500+74.57 грн
1000+68.79 грн
2000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.