Продукція > INFINEON > BSC040N08NS5ATMA1
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1 Infineon

TBSC040n08ns5_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TBSC040n08ns5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC040N08NS5ATMA1 Infineon

Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC040N08NS5ATMA1 за ціною від 57.32 грн до 246.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.01 грн
10000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n08ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n08ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.99 грн
10+139.28 грн
100+95.76 грн
500+72.39 грн
1000+66.77 грн
2000+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n08ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.33 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC040N08NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+63.01 грн
10000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 infineon-bsc040n08ns5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 infineon-bsc040n08ns5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 15728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.99 грн
10+139.28 грн
100+95.76 грн
500+72.39 грн
1000+66.77 грн
2000+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 infineon-bsc040n08ns5-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.33 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon_BSC040N08NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.