BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC040N10NS5ATMA1 за ціною від 56.10 грн до 255.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 14125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.42 грн
10+116.72 грн
100+77.53 грн
500+62.45 грн
1000+58.64 грн
2500+57.23 грн
5000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.32 грн
10+159.36 грн
100+110.12 грн
500+83.60 грн
1000+77.26 грн
2000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 14125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.42 грн
10+116.72 грн
100+77.53 грн
500+62.45 грн
1000+58.64 грн
2500+57.23 грн
5000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+255.32 грн
10+159.36 грн
100+110.12 грн
500+83.60 грн
1000+77.26 грн
2000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.