Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC040N10NS5ATMA1
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.

Інші пропозиції BSC040N10NS5ATMA1 за ціною від 72.99 грн до 246.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.04 грн
10000+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.04 грн
10000+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+89.08 грн
10000+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+89.59 грн
10000+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.38 грн
10+112.07 грн
25+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+148.31 грн
500+134.07 грн
1000+123.40 грн
10000+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 174835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+148.31 грн
500+134.07 грн
1000+123.40 грн
10000+105.84 грн
100000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.88 грн
10+129.77 грн
100+118.71 грн
500+94.08 грн
1000+80.84 грн
5000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.71 грн
10+146.25 грн
50+112.41 грн
100+95.25 грн
500+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc040n10ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 38934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+246.58 грн
10+125.31 грн
100+96.54 грн
500+79.71 грн
1000+76.06 грн
2500+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 41334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 41334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+85.04 грн
10000+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+85.04 грн
10000+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+89.08 грн
10000+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+89.59 грн
10000+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.38 грн
10+112.07 грн
25+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+148.31 грн
500+134.07 грн
1000+123.40 грн
10000+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 174835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+148.31 грн
500+134.07 грн
1000+123.40 грн
10000+105.84 грн
100000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+224.88 грн
10+129.77 грн
100+118.71 грн
500+94.08 грн
1000+80.84 грн
5000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.71 грн
10+146.25 грн
50+112.41 грн
100+95.25 грн
500+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineon_bsc040n10ns5_datasheet_en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 38934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.58 грн
10+125.31 грн
100+96.54 грн
500+79.71 грн
1000+76.06 грн
2500+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 41334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineonbsc040n10ns5datasheetv0204en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 41334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.