BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.
Інші пропозиції BSC040N10NS5ATMA1 за ціною від 73.04 грн до 223.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 174835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V |
на замовлення 14903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 |
на замовлення 7145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 38995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC040N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 38995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 84.47 грн |
| 10000+ | 83.64 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 84.47 грн |
| 10000+ | 83.64 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 88.49 грн |
| 10000+ | 88.07 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 89.00 грн |
| 10000+ | 88.57 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 92.30 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.46 грн |
| 10+ | 111.33 грн |
| 25+ | 85.32 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 147.33 грн |
| 500+ | 133.18 грн |
| 1000+ | 122.58 грн |
| 10000+ | 105.13 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 174835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 147.33 грн |
| 500+ | 133.18 грн |
| 1000+ | 122.58 грн |
| 10000+ | 105.13 грн |
| 100000+ | 81.56 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 223.39 грн |
| 10+ | 128.91 грн |
| 100+ | 117.92 грн |
| 500+ | 93.46 грн |
| 1000+ | 80.31 грн |
| 5000+ | 73.67 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 14903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 10+ | 139.20 грн |
| 50+ | 106.68 грн |
| 100+ | 90.29 грн |
| 500+ | 73.04 грн |
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 7145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 38995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 38995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





