Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC040N10NS5ATMA1
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+62.24 грн
10000+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.

Інші пропозиції BSC040N10NS5ATMA1 за ціною від 68.51 грн до 217.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+146.34 грн
100+144.00 грн
2000+134.34 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.80 грн
10+144.72 грн
25+143.88 грн
100+114.99 грн
250+105.80 грн
500+96.37 грн
1000+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.06 грн
10+135.50 грн
100+93.62 грн
500+71.07 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002952941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 44320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002952941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 44320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+112.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+146.34 грн
100+144.00 грн
2000+134.34 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 infineon-bsc040n10ns5-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+167.80 грн
10+144.72 грн
25+143.88 грн
100+114.99 грн
250+105.80 грн
500+96.37 грн
1000+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.06 грн
10+135.50 грн
100+93.62 грн
500+71.07 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002952941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 44320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002952941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 44320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.