Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC042N03LSGATMA1
BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+23.00 грн
10000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC042N03LSGATMA1 за ціною від 22.55 грн до 111.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.49 грн
100+38.78 грн
500+28.46 грн
1000+25.91 грн
2000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
12+69.65 грн
100+46.21 грн
500+33.60 грн
1000+26.64 грн
5000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7
BSC042N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.74 грн
10+58.49 грн
100+38.78 грн
500+28.46 грн
1000+25.91 грн
2000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 INFNS27447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.01 грн
12+69.65 грн
100+46.21 грн
500+33.60 грн
1000+26.64 грн
5000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.