Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC042N03LSGATMA1
BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC042N03LSGATMA1 за ціною від 23.44 грн до 115.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.50 грн
10000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+91.10 грн
160+77.56 грн
186+66.44 грн
200+60.73 грн
500+52.57 грн
1000+47.41 грн
5000+41.65 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 32652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.14 грн
10+65.31 грн
100+43.34 грн
500+31.80 грн
1000+28.95 грн
2000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.38 грн
12+72.39 грн
100+48.03 грн
500+34.92 грн
1000+27.69 грн
5000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC042N03LS_DS_v02_01_en-3160536.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.