Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1

BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

Інші пропозиції BSC042NE7NS3GATMA1 за ціною від 55.66 грн до 286.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.29 грн
10+125.33 грн
25+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25 Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 13102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.03 грн
10+108.73 грн
50+82.56 грн
100+69.56 грн
500+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.01 грн
10+151.09 грн
100+121.64 грн
500+98.74 грн
1000+88.77 грн
2500+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.93 грн
10+186.79 грн
100+143.07 грн
500+112.54 грн
1000+100.70 грн
2500+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.88 грн
75+188.81 грн
100+144.60 грн
500+113.76 грн
1000+101.78 грн
2500+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+286.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC042NE7NS3 G-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.29 грн
10+125.33 грн
25+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 13102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.03 грн
10+108.73 грн
50+82.56 грн
100+69.56 грн
500+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+202.01 грн
10+151.09 грн
100+121.64 грн
500+98.74 грн
1000+88.77 грн
2500+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+273.93 грн
10+186.79 грн
100+143.07 грн
500+112.54 грн
1000+100.70 грн
2500+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+276.88 грн
75+188.81 грн
100+144.60 грн
500+113.76 грн
1000+101.78 грн
2500+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+286.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon-BSC042NE7NS3 G-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.