BSC046N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC046N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSC046N10NS3GATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC046N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
BSC046N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| BSC046N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
BSC046N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
BSC046N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |