BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.
Інші пропозиції BSC047N08NS3GATMA1 за ціною від 75.76 грн до 287.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 16770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V |
на замовлення 10817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC047N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 210.17 грн |
| 83+ | 169.57 грн |
| 100+ | 158.83 грн |
| 500+ | 135.88 грн |
| 1000+ | 117.28 грн |
| 2000+ | 109.52 грн |
| 5000+ | 105.43 грн |
| BSC047N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.46 грн |
| 10+ | 145.72 грн |
| 100+ | 101.19 грн |
| 500+ | 77.12 грн |
| 1000+ | 75.76 грн |
| BSC047N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 287.72 грн |
| 10+ | 257.10 грн |
| 25+ | 254.57 грн |
| 100+ | 200.23 грн |
| 250+ | 183.47 грн |
| 500+ | 148.92 грн |
| 1000+ | 121.46 грн |
| 3000+ | 117.13 грн |
| BSC047N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 287.72 грн |
| 55+ | 257.10 грн |
| 56+ | 254.57 грн |
| 100+ | 200.23 грн |
| 250+ | 183.47 грн |
| 500+ | 148.92 грн |
| 1000+ | 121.46 грн |
| 3000+ | 117.13 грн |
| BSC047N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC047N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)