Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC047N08NS3GATMA1
BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+70.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V.

Інші пропозиції BSC047N08NS3GATMA1 за ціною від 65.06 грн до 239.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC047N08NS3 G-DataSheet-v02_08-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.02 грн
10+146.71 грн
100+90.92 грн
500+77.53 грн
1000+76.83 грн
5000+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.46 грн
10+150.12 грн
100+104.24 грн
500+79.45 грн
1000+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 Infineon-BSC047N08NS3 G-DataSheet-v02_08-EN.pdf
BSC047N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+222.02 грн
10+146.71 грн
100+90.92 грн
500+77.53 грн
1000+76.83 грн
5000+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611
BSC047N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.46 грн
10+150.12 грн
100+104.24 грн
500+79.45 грн
1000+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.