BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 42.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0500NSIATMA1 за ціною від 32.95 грн до 185.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 7619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V |
на замовлення 9032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0500NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSC0500NSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |