BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC0500NSIATMA1 за ціною від 37.71 грн до 188.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0500NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.59 грн
10+93.21 грн
100+57.44 грн
500+45.67 грн
1000+40.39 грн
2500+39.75 грн
5000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.13 грн
100+80.33 грн
500+60.62 грн
1000+55.88 грн
2000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon_BSC0500NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.59 грн
10+93.21 грн
100+57.44 грн
500+45.67 грн
1000+40.39 грн
2500+39.75 грн
5000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.72 грн
10+117.13 грн
100+80.33 грн
500+60.62 грн
1000+55.88 грн
2000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.