Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0500NSIATMA1
BSC0500NSIATMA1

BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0500NSIATMA1 за ціною від 36.13 грн до 183.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+49.24 грн
500+45.55 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.30 грн
25+54.44 грн
100+51.65 грн
250+47.05 грн
500+44.43 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+87.62 грн
500+78.87 грн
1000+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0500NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+151.87 грн
10+95.88 грн
100+55.95 грн
500+44.46 грн
1000+38.69 грн
2500+38.10 грн
5000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.57 грн
10+113.94 грн
100+78.14 грн
500+58.97 грн
1000+54.35 грн
2000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 INFINEON 2849733.pdf Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
279+49.24 грн
500+45.55 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.30 грн
25+54.44 грн
100+51.65 грн
250+47.05 грн
500+44.43 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
407+87.62 грн
500+78.87 грн
1000+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon_BSC0500NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+151.87 грн
10+95.88 грн
100+55.95 грн
500+44.46 грн
1000+38.69 грн
2500+38.10 грн
5000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.57 грн
10+113.94 грн
100+78.14 грн
500+58.97 грн
1000+54.35 грн
2000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 2849733.pdf
BSC0500NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.