BSC0500NSIATMA1

BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0500NSIATMA1 за ціною від 35.45 грн до 199.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+42.91 грн
500+39.69 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : INFINEON 2849733.pdf Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.61 грн
500+44.05 грн
1000+38.72 грн
5000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.63 грн
25+50.82 грн
100+48.22 грн
250+43.93 грн
500+41.48 грн
1000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0500NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.47 грн
10+51.39 грн
100+41.20 грн
500+40.51 грн
1000+39.81 грн
2500+39.65 грн
5000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.73 грн
18+50.83 грн
100+49.96 грн
500+42.44 грн
1000+38.58 грн
5000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
407+76.35 грн
500+68.73 грн
1000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.40 грн
10+123.76 грн
100+84.87 грн
500+64.05 грн
1000+59.04 грн
2000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0500nsi-datasheet-v02_01-en.pdf BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.