Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0501NSIATMA1
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC0501NSIATMA1 за ціною від 19.39 грн до 121.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299906-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.27 грн
500+41.22 грн
1000+32.08 грн
5000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+57.45 грн
1000+52.98 грн
10000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+77.28 грн
185+70.35 грн
213+61.08 грн
228+55.05 грн
500+44.24 грн
1000+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299906-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.01 грн
12+73.96 грн
100+56.27 грн
500+41.22 грн
1000+32.08 грн
5000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0501NSI_DataSheet_v02_01_EN-3360648.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.65 грн
10+71.37 грн
100+48.44 грн
500+38.54 грн
1000+33.63 грн
2500+33.56 грн
5000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.62 грн
10+79.32 грн
100+56.05 грн
500+42.87 грн
1000+39.69 грн
2000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.