Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0501NSIATMA1
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC0501NSIATMA1 за ціною від 30.31 грн до 170.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.03 грн
500+52.69 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0501NSI_DataSheet_v02_01_EN-3360648.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.08 грн
10+71.65 грн
100+48.63 грн
500+38.69 грн
1000+33.76 грн
2500+33.69 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.11 грн
10+79.64 грн
100+56.27 грн
500+43.04 грн
1000+39.85 грн
2000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
10+107.72 грн
100+72.03 грн
500+52.69 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+72.03 грн
500+52.69 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 Infineon_BSC0501NSI_DataSheet_v02_01_EN-3360648.pdf
BSC0501NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+106.08 грн
10+71.65 грн
100+48.63 грн
500+38.69 грн
1000+33.76 грн
2500+33.69 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.11 грн
10+79.64 грн
100+56.27 грн
500+43.04 грн
1000+39.85 грн
2000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
10+107.72 грн
100+72.03 грн
500+52.69 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.