Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0502NSIATMA1
BSC0502NSIATMA1

BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0502NSIATMA1 за ціною від 15.03 грн до 140.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014efe0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
657+46.49 грн
1000+42.87 грн
10000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.75 грн
500+37.28 грн
1000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.69 грн
247+49.45 грн
253+48.23 грн
2000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.49 грн
13+65.20 грн
100+50.75 грн
500+37.28 грн
1000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0502NSI_DataSheet_v02_01_EN-3360849.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.37 грн
10+66.41 грн
100+44.95 грн
500+35.64 грн
1000+29.91 грн
2500+29.54 грн
5000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.87 грн
10+86.43 грн
100+58.17 грн
500+43.25 грн
1000+39.61 грн
2000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.