Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0502NSIATMA1
BSC0502NSIATMA1

BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0502NSIATMA1 за ціною від 17.45 грн до 134.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.54 грн
1000+49.37 грн
10000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.28 грн
247+56.95 грн
253+55.54 грн
2000+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.70 грн
10+82.65 грн
100+55.63 грн
500+41.36 грн
1000+37.87 грн
2000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0502NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 9928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
657+53.54 грн
1000+49.37 грн
10000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 infineon-bsc0502nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+65.28 грн
247+56.95 грн
253+55.54 грн
2000+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.70 грн
10+82.65 грн
100+55.63 грн
500+41.36 грн
1000+37.87 грн
2000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon_BSC0502NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC0502NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 9928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.