Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0503NSIATMA1
BSC0503NSIATMA1

BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies

pgurl_chlchanneldb3a304344921d300144979be0280336.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0503NSIATMA1 за ціною від 26.52 грн до 126.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0503nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f026.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0503nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f026.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f026ba60b3c73 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0503nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f026.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
684+44.54 грн
1000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 684
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.21 грн
500+39.90 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0503nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f026.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+89.26 грн
203+59.97 грн
231+52.74 грн
500+43.90 грн
1000+38.83 грн
5000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0503NSI_DS_v02_00_EN-1226323.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.26 грн
10+69.92 грн
25+60.72 грн
100+44.17 грн
250+44.10 грн
500+35.86 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.09 грн
12+74.45 грн
100+52.21 грн
500+39.90 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f026ba60b3c73 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 9378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.07 грн
10+77.17 грн
100+51.69 грн
500+38.24 грн
1000+34.94 грн
2000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0503nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f026.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0503nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f026.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F97603E5E11C&compId=BSC0503NSI-DTE.pdf?ci_sign=a6a74026fb5f694d37118891f31071200b7efebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F97603E5E11C&compId=BSC0503NSI-DTE.pdf?ci_sign=a6a74026fb5f694d37118891f31071200b7efebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.