BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f026ba60b3c73
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6.

Інші пропозиції BSC0503NSIATMA1 за ціною від 28.19 грн до 124.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0503NSI_DS_v02_00_EN-1226323.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.79 грн
10+66.38 грн
25+57.65 грн
100+41.94 грн
250+41.87 грн
500+34.04 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f026ba60b3c73 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 9378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.49 грн
10+76.20 грн
100+51.04 грн
500+37.76 грн
1000+34.50 грн
2000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 Infineon_BSC0503NSI_DS_v02_00_EN-1226323.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.79 грн
10+66.38 грн
25+57.65 грн
100+41.94 грн
250+41.87 грн
500+34.04 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 Infineon-BSC0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f026ba60b3c73
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 9378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.49 грн
10+76.20 грн
100+51.04 грн
500+37.76 грн
1000+34.50 грн
2000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.