BSC0504NSIATMA1


Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
Код товару: 161029
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC0504NSIATMA1 за ціною від 18.16 грн до 93.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0504NSI_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 24193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.65 грн
11+31.32 грн
100+21.44 грн
500+21.30 грн
1000+21.09 грн
5000+19.06 грн
10000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.48 грн
10+56.43 грн
100+37.32 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.