Інші пропозиції BSC0504NSIATMA1 за ціною від 15.30 грн до 92.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 24193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |