Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0504NSIATMA1
BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
631+19.73 грн
725+17.16 грн
743+16.75 грн
754+15.91 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 631
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0504NSIATMA1 за ціною від 20.18 грн до 94.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies pgurl_chlchanneldb3a304344921d300144979be0280336.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.28 грн
10000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.26 грн
500+26.93 грн
1000+24.11 грн
5000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.08 грн
25+29.06 грн
27+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0504NSI_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 24193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.41 грн
11+34.82 грн
100+23.83 грн
500+23.68 грн
1000+23.45 грн
5000+21.19 грн
10000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.67 грн
100+29.26 грн
500+26.93 грн
1000+24.11 грн
5000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 13031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.90 грн
10+57.34 грн
100+37.89 грн
500+27.71 грн
1000+25.18 грн
2000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1
Код товару: 161029
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.