Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1

Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
Код товару: 161029
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC0504NSIATMA1 за ціною від 15.57 грн до 95.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+22.44 грн
725+19.52 грн
743+19.05 грн
754+18.09 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.02 грн
10000+20.65 грн
15000+19.88 грн
25000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.17 грн
25+30.84 грн
27+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 34757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.46 грн
100+37.96 грн
500+27.77 грн
1000+25.24 грн
2000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0504NSI_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
631+22.44 грн
725+19.52 грн
743+19.05 грн
754+18.09 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+23.02 грн
10000+20.65 грн
15000+19.88 грн
25000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.17 грн
25+30.84 грн
27+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 34757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+57.46 грн
100+37.96 грн
500+27.77 грн
1000+25.24 грн
2000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 Infineon_BSC0504NSI_DS_v02_00_EN.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.