Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050N03LSGATMA1
BSC050N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.39 грн
15000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції BSC050N03LSGATMA1 за ціною від 19.40 грн до 80.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies 655bsc050n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies 655bsc050n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.05 грн
472+29.92 грн
580+24.37 грн
1000+21.23 грн
5000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.05 грн
10+47.87 грн
50+35.27 грн
100+29.29 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 655bsc050n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 655bsc050n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+31.05 грн
472+29.92 грн
580+24.37 грн
1000+21.23 грн
5000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.05 грн
10+47.87 грн
50+35.27 грн
100+29.29 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.