BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 16.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC050N03LSGATMA1 за ціною від 14.52 грн до 85.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 11205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V |
на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 7341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |