BSC050N04LSGATMA1

BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies


BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC050N04LSGATMA1 за ціною від 16.75 грн до 63.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 72988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
990+30.89 грн
1074+28.49 грн
10000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 990
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.14 грн
24+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 90932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+37.02 грн
100+24.32 грн
500+22.39 грн
1000+19.33 грн
2000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC050N04LSG_DS_v01_04_en-1731156.pdf MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.50 грн
10+37.75 грн
100+23.32 грн
500+20.60 грн
1000+18.79 грн
2500+18.11 грн
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.83 грн
18+47.07 грн
100+31.15 грн
500+25.55 грн
1000+20.24 грн
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.