Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050N04LSGATMA1
BSC050N04LSGATMA1

BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies

647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC050N04LSGATMA1 за ціною від 17.54 грн до 85.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.69 грн
10000+17.63 грн
15000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 72988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
990+31.93 грн
1074+29.45 грн
10000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 990
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.29 грн
24+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.52 грн
26+34.94 грн
100+26.79 грн
500+23.04 грн
1000+19.89 грн
5000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC050N04LSG_DS_v01_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.51 грн
10+44.72 грн
100+25.63 грн
500+23.56 грн
1000+20.84 грн
2500+20.76 грн
5000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 73903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.52 грн
10+51.57 грн
100+33.90 грн
500+24.67 грн
1000+22.38 грн
2000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.