Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050N04LSGATMA1
BSC050N04LSGATMA1

BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+19.98 грн
10000+17.89 грн
15000+17.20 грн
25000+15.41 грн
35000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC050N04LSGATMA1 за ціною від 15.86 грн до 111.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 47153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+50.78 грн
100+33.36 грн
500+24.29 грн
1000+22.02 грн
2000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050N04LSG_DS_v01_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+53.25 грн
100+30.52 грн
500+23.61 грн
1000+19.59 грн
5000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON INFNS27221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.81 грн
16+54.02 грн
100+35.61 грн
500+23.52 грн
1000+18.04 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 47153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.05 грн
10+50.78 грн
100+33.36 грн
500+24.29 грн
1000+22.02 грн
2000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 Infineon_BSC050N04LSG_DS_v01_04_en.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+53.25 грн
100+30.52 грн
500+23.61 грн
1000+19.59 грн
5000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 INFNS27221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.81 грн
16+54.02 грн
100+35.61 грн
500+23.52 грн
1000+18.04 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 647bsc050n04lsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.