BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 23.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.
Інші пропозиції BSC050N04LSGATMA1 за ціною від 19.03 грн до 98.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V |
на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BSC050N04LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 14434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1428+ | 24.82 грн |
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 60.90 грн |
| 317+ | 44.83 грн |
| 358+ | 39.62 грн |
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.57 грн |
| 10+ | 40.53 грн |
| 50+ | 29.84 грн |
| 100+ | 24.75 грн |
| 500+ | 19.03 грн |
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.91 грн |
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 98.12 грн |
| 13+ | 60.90 грн |
| 50+ | 44.82 грн |
| 100+ | 38.21 грн |
| 500+ | 27.21 грн |
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC050N04LSGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)