BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.21 грн |
| 10+ | 73.68 грн |
| 100+ | 61.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 53.21 грн до 214.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 15486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 15486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.71 грн |
| 10+ | 87.54 грн |
| 100+ | 58.71 грн |
| 500+ | 53.21 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 214.62 грн |
| 50+ | 138.97 грн |
| 250+ | 96.21 грн |
| 1000+ | 66.74 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)