BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.
Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 71.24 грн до 219.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active FET Type: N-Channel |
на замовлення 6845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 14647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 82.29 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 82.29 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 83.85 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 84.29 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 90.82 грн |
| 10+ | 89.54 грн |
| 25+ | 88.26 грн |
| 100+ | 83.86 грн |
| 250+ | 76.51 грн |
| 500+ | 72.34 грн |
| 1000+ | 71.24 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 90.82 грн |
| 158+ | 89.54 грн |
| 160+ | 88.26 грн |
| 163+ | 83.86 грн |
| 250+ | 76.51 грн |
| 500+ | 72.34 грн |
| 1000+ | 71.24 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.12 грн |
| 500+ | 127.01 грн |
| 1000+ | 117.13 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.12 грн |
| 500+ | 127.01 грн |
| 1000+ | 117.13 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 144.33 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 216.76 грн |
| 10+ | 154.13 грн |
| 100+ | 115.34 грн |
| 500+ | 103.30 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
на замовлення 6845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.33 грн |
| 10+ | 136.44 грн |
| 50+ | 104.46 грн |
| 100+ | 88.35 грн |
| 500+ | 71.38 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 14647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC050N10NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)