BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 49.74 грн |
| 25+ | 49.40 грн |
| 100+ | 46.19 грн |
| 250+ | 42.71 грн |
| 500+ | 39.91 грн |
| 1000+ | 38.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 52.27 грн до 210.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 15486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 136W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |