Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050N10NS5ATMA1
BSC050N10NS5ATMA1

BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.60 грн
25+47.27 грн
100+44.20 грн
250+40.87 грн
500+38.19 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 53.13 грн до 160.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.10 грн
250+75.24 грн
1000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+107.53 грн
500+96.80 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+107.53 грн
500+96.80 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+127.38 грн
99+126.55 грн
100+124.90 грн
2000+114.05 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.75 грн
10+77.85 грн
100+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 8156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.99 грн
10+85.06 грн
100+60.18 грн
500+56.69 грн
1000+56.54 грн
5000+53.67 грн
10000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.73 грн
50+92.10 грн
250+75.24 грн
1000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS-5Power-Transistor, 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.