Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050N10NS5ATMA1
BSC050N10NS5ATMA1

BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 64.35 грн до 212.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.15 грн
25+76.73 грн
100+73.59 грн
250+67.77 грн
500+64.70 грн
1000+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.15 грн
185+76.73 грн
186+76.32 грн
250+73.19 грн
500+67.40 грн
1000+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.25 грн
10+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.25 грн
131+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.67 грн
100+91.56 грн
500+69.42 грн
1000+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050N10NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.15 грн
25+76.73 грн
100+73.59 грн
250+67.77 грн
500+64.70 грн
1000+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
184+77.15 грн
185+76.73 грн
186+76.32 грн
250+73.19 грн
500+67.40 грн
1000+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.25 грн
10+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+181.25 грн
131+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.80 грн
10+132.67 грн
100+91.56 грн
500+69.42 грн
1000+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon_BSC050N10NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 3204710.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 3204710.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.