Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050N10NS5ATMA1
BSC050N10NS5ATMA1

BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 70.88 грн до 252.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+85.31 грн
250+84.95 грн
500+81.56 грн
1000+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.38 грн
10+86.02 грн
25+85.66 грн
100+82.26 грн
250+75.85 грн
500+72.50 грн
1000+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+138.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+158.18 грн
500+142.48 грн
1000+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+158.18 грн
500+142.48 грн
1000+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.44 грн
10+142.40 грн
50+109.34 грн
100+92.60 грн
500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc050n10ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12788 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+246.44 грн
10+115.96 грн
100+82.43 грн
500+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+252.87 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+85.31 грн
250+84.95 грн
500+81.56 грн
1000+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+86.38 грн
10+86.02 грн
25+85.66 грн
100+82.26 грн
250+75.85 грн
500+72.50 грн
1000+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+138.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+158.18 грн
500+142.48 грн
1000+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+158.18 грн
500+142.48 грн
1000+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.44 грн
10+142.40 грн
50+109.34 грн
100+92.60 грн
500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineon_bsc050n10ns5_datasheet_en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12788 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.44 грн
10+115.96 грн
100+82.43 грн
500+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+252.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+252.87 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 3204710.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 3204710.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.