BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 665+ | 19.56 грн |
| 709+ | 18.35 грн |
| 711+ | 18.30 грн |
| 735+ | 17.06 грн |
| 1000+ | 15.10 грн |
| 3000+ | 13.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC050NE2LSATMA1 за ціною від 14.67 грн до 77.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V |
на замовлення 4422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC050NE2LSATMA1 Код товару: 116189
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |