Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC050NE2LSATMA1
BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC050NE2LSATMA1 за ціною від 12.14 грн до 43.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.05 грн
10000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+16.30 грн
39+15.48 грн
100+14.77 грн
250+13.54 грн
500+12.87 грн
1000+12.50 грн
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+18.32 грн
709+17.19 грн
711+17.14 грн
735+15.98 грн
1000+14.14 грн
3000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1271+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1271
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON 1849652.html Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.68 грн
500+22.83 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
415+29.37 грн
416+29.29 грн
500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 415
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.89 грн
10+31.45 грн
100+24.13 грн
500+20.31 грн
1000+17.77 грн
2000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON 1849652.html Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.19 грн
23+36.06 грн
100+27.68 грн
500+22.83 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC050NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360649.pdf MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
10+37.47 грн
25+31.49 грн
100+25.04 грн
500+22.50 грн
1000+18.50 грн
5000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1
Код товару: 116189
Додати до обраних Обраний товар

BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD915914BBA11C&compId=BSC050NE2LS-dte.pdf?ci_sign=9758965f29efc39e420dce08de5d90c53062993f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.