BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V.
Інші пропозиції BSC050NE2LSATMA1 за ціною від 23.21 грн до 76.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V |
на замовлення 27953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC050NE2LSATMA1 Код товару: 116189 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |