Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
Код товару: 116189
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC050NE2LSATMA1 за ціною від 14.87 грн до 70.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.67 грн
10000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.39 грн
39+19.37 грн
100+18.48 грн
250+16.95 грн
500+16.11 грн
1000+15.65 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+21.29 грн
709+19.97 грн
711+19.91 грн
735+18.57 грн
1000+16.43 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+34.13 грн
416+34.04 грн
500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+42.38 грн
100+27.62 грн
500+19.95 грн
1000+18.02 грн
2000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360649.pdf MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.67 грн
10000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.39 грн
39+19.37 грн
100+18.48 грн
250+16.95 грн
500+16.11 грн
1000+15.65 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
665+21.29 грн
709+19.97 грн
711+19.91 грн
735+18.57 грн
1000+16.43 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1271+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
415+34.13 грн
416+34.04 грн
500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
10+42.38 грн
100+27.62 грн
500+19.95 грн
1000+18.02 грн
2000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 Infineon_BSC050NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360649.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.