Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
Код товару: 116189
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC050NE2LSATMA1 за ціною від 14.73 грн до 74.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.80 грн
10000+15.90 грн
15000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360649.pdf MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.18 грн
10+36.39 грн
25+30.59 грн
100+24.32 грн
500+21.85 грн
1000+17.97 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.82 грн
100+29.29 грн
500+21.21 грн
1000+19.19 грн
2000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+17.80 грн
10000+15.90 грн
15000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 Infineon_BSC050NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360649.pdf
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.18 грн
10+36.39 грн
25+30.59 грн
100+24.32 грн
500+21.85 грн
1000+17.97 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.54 грн
10+44.82 грн
100+29.29 грн
500+21.21 грн
1000+19.19 грн
2000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.