BSC052N03LSATMA1

BSC052N03LSATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc052n03ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC052N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC052N03LSATMA1 за ціною від 21.14 грн до 77.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC052N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc1084350363 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 Виробник : INFINEON 1849653.html Description: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.90 грн
500+27.45 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC052N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc1084350363 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 24885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.10 грн
10+44.78 грн
100+29.73 грн
500+21.83 грн
1000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 Виробник : INFINEON 1849653.html Description: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.02 грн
16+53.37 грн
100+36.90 грн
500+27.45 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.