Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC052N08NS5ATMA1
BSC052N08NS5ATMA1

BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
740+18.99 грн
752+18.69 грн
765+18.39 грн
777+17.44 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

Інші пропозиції BSC052N08NS5ATMA1 за ціною від 15.24 грн до 227.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.29 грн
40+18.99 грн
100+18.02 грн
250+16.42 грн
500+15.50 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.09 грн
10000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+125.75 грн
124+113.82 грн
250+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+129.95 грн
500+116.96 грн
1000+107.86 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.89 грн
100+141.35 грн
107+131.79 грн
108+125.81 грн
124+101.19 грн
250+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.84 грн
10+141.57 грн
100+97.32 грн
500+73.60 грн
1000+67.90 грн
2000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
на замовлення 14465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
у наявності 4380 шт:
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.29 грн
40+18.99 грн
100+18.02 грн
250+16.42 грн
500+15.50 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+64.09 грн
10000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+125.75 грн
124+113.82 грн
250+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+129.95 грн
500+116.96 грн
1000+107.86 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+208.89 грн
100+141.35 грн
107+131.79 грн
108+125.81 грн
124+101.19 грн
250+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.84 грн
10+141.57 грн
100+97.32 грн
500+73.60 грн
1000+67.90 грн
2000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
на замовлення 14465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
у наявності 4380 шт:
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.