Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC054N04NSGATMA1
BSC054N04NSGATMA1

BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies

5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+72.90 грн
249+56.55 грн
500+48.23 грн
1000+35.42 грн
2500+30.13 грн
5000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.

Інші пропозиції BSC054N04NSGATMA1 за ціною від 21.58 грн до 95.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+79.89 грн
207+67.95 грн
242+58.15 грн
255+53.20 грн
500+46.06 грн
1000+41.56 грн
5000+36.54 грн
10000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.29 грн
10+54.04 грн
100+35.60 грн
500+25.98 грн
1000+23.59 грн
2000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.74 грн
11+72.90 грн
100+56.55 грн
500+46.51 грн
1000+32.80 грн
2500+28.92 грн
5000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 INFINEON INFNS27222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 43172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+79.89 грн
207+67.95 грн
242+58.15 грн
255+53.20 грн
500+46.06 грн
1000+41.56 грн
5000+36.54 грн
10000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.29 грн
10+54.04 грн
100+35.60 грн
500+25.98 грн
1000+23.59 грн
2000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.74 грн
11+72.90 грн
100+56.55 грн
500+46.51 грн
1000+32.80 грн
2500+28.92 грн
5000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 INFNS27222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 43172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.