BSC054N04NSGATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.03 грн |
| 14+ | 61.01 грн |
| 100+ | 40.29 грн |
| 500+ | 29.09 грн |
| 1000+ | 22.27 грн |
| 5000+ | 20.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC054N04NSGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC054N04NSGATMA1 за ціною від 21.92 грн до 116.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC054N04NSGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC054N04NSGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 43506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSC054N04NSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.46 грн |
| 10+ | 63.53 грн |
| 100+ | 41.88 грн |
| 500+ | 30.56 грн |
| 1000+ | 27.75 грн |
| 2000+ | 25.38 грн |
| BSC054N04NSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 43506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.77 грн |
| 10+ | 70.44 грн |
| 100+ | 40.67 грн |
| 500+ | 31.93 грн |
| 1000+ | 27.35 грн |
| 2500+ | 24.74 грн |
| 5000+ | 21.92 грн |