Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC057N03LSGATMA1
BSC057N03LSGATMA1

BSC057N03LSGATMA1 Infineon Technologies

3635bsc057n03ls_rev1.4.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC057N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC057N03LSGATMA1 за ціною від 22.57 грн до 72.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.72 грн
10+55.79 грн
100+38.60 грн
500+30.27 грн
1000+25.76 грн
2000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC057N03LS_DS_v02_01_en-1226355.pdf MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.47 грн
10+63.59 грн
100+37.66 грн
500+31.42 грн
1000+26.78 грн
2500+24.31 грн
5000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7 BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.