Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC057N08NS3GATMA1
BSC057N08NS3GATMA1

BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

Інші пропозиції BSC057N08NS3GATMA1 за ціною від 45.02 грн до 160.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616 Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 47998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.10 грн
10+98.51 грн
100+66.90 грн
500+50.08 грн
1000+46.00 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC057N08NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS16165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS16165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
232+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 47998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.10 грн
10+98.51 грн
100+66.90 грн
500+50.08 грн
1000+46.00 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 Infineon-BSC057N08NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 INFNS16165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 INFNS16165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.