BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 41.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC057N08NS3GATMA1 за ціною від 55.18 грн до 200.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V |
на замовлення 58137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0057 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC057N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |