Продукція > INF > BSC059N03SG

BSC059N03SG INF


Виробник: INF
09+
на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC059N03SG INF

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC059N03SG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC059N03S G Виробник : Infineon BSC059N03S_G.pdf 09+
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC059N03SG Виробник : INFINEON 09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC059N03SG Виробник : INFINION
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC059N03S G BSC059N03S G Виробник : Infineon Technologies BSC059N03S_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC059N03S G BSC059N03S G Виробник : Infineon Technologies BSC059N03S_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC059N03S G BSC059N03S G Виробник : Infineon Technologies DC_DC_Selection_1-520800.pdf MOSFET N-Ch 30V 17.5A TDSON-8
товар відсутній