Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC059N04LSGATMA1
BSC059N04LSGATMA1

BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+39.11 грн
50+28.70 грн
100+23.77 грн
500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm.

Інші пропозиції BSC059N04LSGATMA1 за ціною від 25.76 грн до 102.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.97 грн
11+69.60 грн
100+47.59 грн
500+34.38 грн
1000+27.53 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.97 грн
204+69.60 грн
298+47.59 грн
500+34.38 грн
1000+27.53 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 INFINEON INFNS27225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 19369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.97 грн
11+69.60 грн
100+47.59 грн
500+34.38 грн
1000+27.53 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+102.97 грн
204+69.60 грн
298+47.59 грн
500+34.38 грн
1000+27.53 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 INFNS27225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 19369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2960 шт
В кошику  од. на суму  грн.