Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC059N04LSGATMA1
BSC059N04LSGATMA1

BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC059N04LSGATMA1 за ціною від 17.13 грн до 94.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 49880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+37.32 грн
1028+34.42 грн
10000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+37.32 грн
1028+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 INFINEON INFNS27225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.34 грн
16+53.61 грн
100+35.28 грн
500+24.20 грн
1000+18.54 грн
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.22 грн
10+52.30 грн
100+34.44 грн
500+25.10 грн
1000+22.77 грн
2000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC059N04LSG_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.56 грн
10+62.01 грн
100+38.27 грн
500+32.14 грн
1000+27.49 грн
2500+24.88 грн
5000+18.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 49880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
948+37.32 грн
1028+34.42 грн
10000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
948+37.32 грн
1028+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 INFNS27225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+86.34 грн
16+53.61 грн
100+35.28 грн
500+24.20 грн
1000+18.54 грн
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.22 грн
10+52.30 грн
100+34.44 грн
500+25.10 грн
1000+22.77 грн
2000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 Infineon_BSC059N04LSG_DS_v02_01_en.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.56 грн
10+62.01 грн
100+38.27 грн
500+32.14 грн
1000+27.49 грн
2500+24.88 грн
5000+18.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 1290bsc059n04lsg_rev1.02.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.