BSC060N10NS3 G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 226.38 грн |
| 65+ | 217.75 грн |
| 100+ | 210.36 грн |
| 250+ | 196.70 грн |
| 500+ | 177.17 грн |
| 1000+ | 165.92 грн |
| 2500+ | 162.27 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
63 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC060N10NS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Version: ESD.
Інші пропозиції BSC060N10NS3 G за ціною від 103.15 грн до 174.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC060N10NS3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BSC060N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Version: ESD |
на замовлення 4143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSC060N10NS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC060N10NS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 174.31 грн |
| 30+ | 129.99 грн |
| 50+ | 123.28 грн |
| 100+ | 118.25 грн |
| 300+ | 103.99 грн |
| 500+ | 103.15 грн |