BSC060N10NS3 G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 234.45 грн |
| 65+ | 225.51 грн |
| 100+ | 217.86 грн |
| 250+ | 203.71 грн |
| 500+ | 183.49 грн |
| 1000+ | 171.84 грн |
| 2500+ | 168.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
63 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC060N10NS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Version: ESD.
Інші пропозиції BSC060N10NS3 G за ціною від 73.13 грн до 263.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC060N10NS3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4113 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSC060N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Version: ESD |
на замовлення 4143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSC060N10NS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 263.33 грн |
| 10+ | 168.72 грн |
| 100+ | 101.57 грн |
| 500+ | 85.02 грн |
| 1000+ | 78.25 грн |
| 2500+ | 73.13 грн |
| BSC060N10NS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 176.46 грн |
| 30+ | 131.60 грн |
| 50+ | 124.81 грн |
| 100+ | 119.71 грн |
| 300+ | 105.28 грн |
| 500+ | 104.43 грн |