BSC060N10NS3G


Код товару: 86504
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC060N10NS3G за ціною від 102.21 грн до 226.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 G Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.89 грн
65+218.24 грн
100+210.83 грн
250+197.14 грн
500+177.57 грн
1000+166.29 грн
2500+162.63 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 G Infineon Technologies Infineon-BSC060N10NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+172.71 грн
30+128.80 грн
50+122.15 грн
100+117.17 грн
300+103.04 грн
500+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 G infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+226.89 грн
65+218.24 грн
100+210.83 грн
250+197.14 грн
500+177.57 грн
1000+166.29 грн
2500+162.63 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 G Infineon-BSC060N10NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+172.71 грн
30+128.80 грн
50+122.15 грн
100+117.17 грн
300+103.04 грн
500+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.