Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC060N10NS3GATMA1
BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Інші пропозиції BSC060N10NS3GATMA1 за ціною від 53.74 грн до 168.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.12 грн
10000+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.27 грн
179+78.67 грн
188+75.12 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+84.84 грн
168+83.98 грн
179+78.80 грн
250+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+93.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.95 грн
10+84.84 грн
25+83.98 грн
100+75.98 грн
250+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+163.75 грн
90+157.51 грн
100+152.16 грн
250+142.27 грн
500+128.16 грн
1000+120.02 грн
2500+117.37 грн
5000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 11816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.57 грн
10+104.29 грн
100+71.45 грн
500+53.88 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC060N10NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+71.12 грн
10000+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+80.27 грн
179+78.67 грн
188+75.12 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+84.84 грн
168+83.98 грн
179+78.80 грн
250+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+93.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+95.95 грн
10+84.84 грн
25+83.98 грн
100+75.98 грн
250+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+163.75 грн
90+157.51 грн
100+152.16 грн
250+142.27 грн
500+128.16 грн
1000+120.02 грн
2500+117.37 грн
5000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 11816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.57 грн
10+104.29 грн
100+71.45 грн
500+53.88 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 Infineon-BSC060N10NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 3959527.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 3959527.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.