BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 49.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC060N10NS3GATMA1 за ціною від 51.60 грн до 182.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 7357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V |
на замовлення 11816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 5367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSC060N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |