Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC060N10NS3GATMA1
BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC060N10NS3GATMA1 за ціною від 48.79 грн до 142.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.76 грн
10000+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+69.71 грн
179+68.33 грн
188+65.23 грн
1000+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.68 грн
168+72.94 грн
179+68.43 грн
250+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.45 грн
500+62.97 грн
1000+55.37 грн
5000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.28 грн
10+78.94 грн
25+78.15 грн
100+70.70 грн
250+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 19597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.75 грн
10+81.79 грн
100+72.17 грн
500+58.03 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.29 грн
10+95.43 грн
100+84.45 грн
500+62.97 грн
1000+55.37 грн
5000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC060N10NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360725.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 15794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.01 грн
10+93.50 грн
100+67.98 грн
500+56.38 грн
1000+53.98 грн
2500+52.09 грн
5000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+142.21 грн
90+136.79 грн
100+132.14 грн
250+123.56 грн
500+111.30 грн
1000+104.23 грн
2500+101.93 грн
5000+99.90 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.