BSC060P03NS3EGATMA

BSC060P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC060P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: OptiMOS™ P3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -100A, Power dissipation: 83W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 6mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5000 шт.

Інші пропозиції BSC060P03NS3EGATMA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC060P03NS3EGATMA BSC060P03NS3EGATMA Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91201E1C8F71CC&compId=BSC060P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=8d01248613aaec04af6fafb2ed146bfee0330917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.