BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 349+ | 40.27 грн |
| 438+ | 32.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Інші пропозиції BSC060P03NS3EGATMA1 за ціною від 24.63 грн до 134.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V |
на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
на замовлення 22662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC060P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 718+ | 48.97 грн |
| 1000+ | 45.15 грн |
| BSC060P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 57.58 грн |
| 16+ | 48.97 грн |
| 25+ | 48.78 грн |
| 100+ | 39.52 грн |
| 250+ | 35.86 грн |
| 500+ | 30.01 грн |
| 1000+ | 24.63 грн |
| BSC060P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.22 грн |
| 10+ | 58.33 грн |
| 100+ | 38.78 грн |
| 500+ | 28.51 грн |
| 1000+ | 25.97 грн |
| 2000+ | 24.77 грн |
| BSC060P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 134.93 грн |
| BSC060P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 22662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC060P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)