BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 25.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC060P03NS3EGATMA1 за ціною від 23.05 грн до 108.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |