Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC061N08NS5ATMA1
BSC061N08NS5ATMA1

BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc061n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 82A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC061N08NS5ATMA1 за ціною від 53.29 грн до 156.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69 Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc061n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+111.17 грн
117+104.68 грн
143+85.20 грн
200+79.03 грн
500+65.28 грн
1000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69 Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.00 грн
10+99.55 грн
100+76.81 грн
500+61.81 грн
1000+55.98 грн
2000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.41 грн
10+111.52 грн
100+87.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC061N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360958.pdf MOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.62 грн
10+113.49 грн
25+96.51 грн
100+76.19 грн
500+61.83 грн
1000+56.17 грн
2500+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc061n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc061n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870BAB04E0211C&compId=BSC061N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=5b68f3291628f4625d4c450d25a4d66c7a605d0f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.