BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 49.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC061N08NS5ATMA1 за ціною від 50.42 грн до 169.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V |
на замовлення 7302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8 |
на замовлення 11419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC061N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |