BSC065N06LS5ATMA1

BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc065n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC065N06LS5ATMA1 за ціною від 34.60 грн до 150.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc065n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc065n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 2849734.pdf Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.66 грн
250+66.45 грн
1000+48.76 грн
3000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC065N06LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 85253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.07 грн
10+78.18 грн
100+52.10 грн
500+44.20 грн
1000+41.13 грн
2500+39.75 грн
5000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 15726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.93 грн
10+87.20 грн
100+58.87 грн
500+43.86 грн
1000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc065n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+142.19 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 2849734.pdf Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.63 грн
50+88.66 грн
250+66.45 грн
1000+48.76 грн
3000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 46W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1
Код товару: 214673
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc065n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc065n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.