Інші пропозиції BSC065N06LS5ATMA1 за ціною від 26.25 грн до 149.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
на замовлення 16637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 85654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 12174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 46W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC065N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |