Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC066N06NSATMA1
BSC066N06NSATMA1

BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC066N06NSATMA1 за ціною від 23.61 грн до 4978.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
50+36.60 грн
100+30.46 грн
500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.86 грн
151+94.18 грн
213+66.60 грн
250+62.64 грн
500+48.74 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.23 грн
10+95.86 грн
25+94.18 грн
100+64.22 грн
250+58.00 грн
500+46.79 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4978.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC066N06NS_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 21700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 13777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.55 грн
10+49.43 грн
50+36.60 грн
100+30.46 грн
500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+95.86 грн
151+94.18 грн
213+66.60 грн
250+62.64 грн
500+48.74 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.23 грн
10+95.86 грн
25+94.18 грн
100+64.22 грн
250+58.00 грн
500+46.79 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4978.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 Infineon_BSC066N06NS_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC066N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 21700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 13777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.