BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 26.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC066N06NSATMA1 за ціною від 31.80 грн до 130.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 15963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 9472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |