Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC066N06NSATMA1
BSC066N06NSATMA1

BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC066N06NSATMA1 за ціною від 28.56 грн до 123.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+61.41 грн
551+55.27 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+61.41 грн
551+55.27 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.00 грн
169+72.27 грн
215+56.78 грн
250+53.13 грн
500+40.31 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.03 грн
250+61.87 грн
1000+38.55 грн
3000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+91.71 грн
10+67.78 грн
25+67.10 грн
100+50.84 грн
250+45.68 грн
500+35.93 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.97 грн
10+75.06 грн
100+51.85 грн
500+37.32 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC066N06NS_DataSheet_v02_01_EN-3360693.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 12955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.99 грн
10+82.45 грн
100+51.74 грн
250+51.38 грн
500+40.49 грн
1000+34.98 грн
2500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.22 грн
50+83.03 грн
250+61.87 грн
1000+38.55 грн
3000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.34 грн
138+88.45 грн
200+80.49 грн
500+64.32 грн
1000+54.92 грн
2000+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870DFCDF18411C&compId=BSC066N06NS-DTE.pdf?ci_sign=441f0f372dac3b7efa4853e9f29fde4aaa80c83d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.