Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC067N06LS3GATMA1
BSC067N06LS3GATMA1

BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

4161bsc067n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC067N06LS3GATMA1 за ціною від 31.66 грн до 130.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.17 грн
500+41.12 грн
1000+33.63 грн
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+72.06 грн
201+60.78 грн
213+57.37 грн
1000+43.97 грн
2000+40.64 грн
5000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.15 грн
11+80.59 грн
100+63.17 грн
500+41.12 грн
1000+33.63 грн
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+115.05 грн
10+78.20 грн
100+61.29 грн
250+54.67 грн
500+41.70 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.96 грн
10+78.61 грн
100+55.52 грн
500+41.76 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.90 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC067N06LS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360650.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.38 грн
10+89.29 грн
25+76.92 грн
100+56.17 грн
250+51.30 грн
500+42.81 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4161bsc067n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871097E6D4E11C&compId=BSC067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=3eb87419d1c92f0ccfbd27f496b3ba74f0981d5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.