Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC067N06LS3GATMA1
BSC067N06LS3GATMA1

BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+37.16 грн
10000+33.60 грн
15000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC067N06LS3GATMA1 за ціною від 35.45 грн до 141.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
50+90.45 грн
250+71.29 грн
1000+48.49 грн
3000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC067N06LS3_G_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.50 грн
10+87.54 грн
100+51.80 грн
500+42.78 грн
1000+37.92 грн
2500+37.36 грн
5000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 20378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.82 грн
100+58.60 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
2000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.52 грн
50+90.45 грн
250+71.29 грн
1000+48.49 грн
3000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 Infineon_BSC067N06LS3_G_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.50 грн
10+87.54 грн
100+51.80 грн
500+42.78 грн
1000+37.92 грн
2500+37.36 грн
5000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 20378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.82 грн
100+58.60 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
2000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.