BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC0702LS-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0909c6f4eda
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції BSC0702LSATMA1 за ціною від 36.37 грн до 184.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0702LSATMA1 BSC0702LSATMA1 INFINEON 2853077.pdf Description: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 BSC0702LSATMA1 INFINEON 2853077.pdf Description: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
10+89.63 грн
100+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0702LS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.77 грн
10+95.64 грн
100+56.39 грн
500+45.67 грн
1000+40.95 грн
2500+38.27 грн
5000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0702LS-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0909c6f4eda Description: MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.75 грн
10+114.31 грн
100+78.20 грн
500+58.88 грн
1000+54.22 грн
2000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 2853077.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 2853077.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.61 грн
10+89.63 грн
100+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 Infineon_BSC0702LS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.77 грн
10+95.64 грн
100+56.39 грн
500+45.67 грн
1000+40.95 грн
2500+38.27 грн
5000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1 Infineon-BSC0702LS-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0909c6f4eda
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+184.75 грн
10+114.31 грн
100+78.20 грн
500+58.88 грн
1000+54.22 грн
2000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.