Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10LS5ATMA1
BSC070N10LS5ATMA1

BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції BSC070N10LS5ATMA1 за ціною від 45.04 грн до 111.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+80.17 грн
25+75.62 грн
100+65.11 грн
250+61.59 грн
500+59.11 грн
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC070N10LS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.50 грн
10+80.16 грн
100+60.12 грн
500+56.53 грн
1000+53.57 грн
2500+52.58 грн
5000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
50+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.74 грн
10+80.17 грн
25+75.62 грн
100+65.11 грн
250+61.59 грн
500+59.11 грн
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon_BSC070N10LS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.50 грн
10+80.16 грн
100+60.12 грн
500+56.53 грн
1000+53.57 грн
2500+52.58 грн
5000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.01 грн
50+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.