BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Інші пропозиції BSC070N10LS5ATMA1 за ціною від 66.44 грн до 129.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V |
на замовлення 7559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 6692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 6692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 8623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSC070N10LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 11801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 11801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 69.62 грн |
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 69.62 грн |
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.69 грн |
| 10+ | 95.22 грн |
| 25+ | 89.87 грн |
| 100+ | 77.41 грн |
| 250+ | 73.26 грн |
| 500+ | 70.32 грн |
| 1000+ | 66.44 грн |
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 129.67 грн |
| 10+ | 107.63 грн |
| 25+ | 106.55 грн |
| 100+ | 90.50 грн |
| 250+ | 82.96 грн |
| 500+ | 75.97 грн |
| 1000+ | 70.99 грн |
| 5000+ | 67.81 грн |
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 129.67 грн |
| 132+ | 107.63 грн |
| 133+ | 106.55 грн |
| 151+ | 90.50 грн |
| 250+ | 82.96 грн |
| 500+ | 75.97 грн |
| 1000+ | 70.99 грн |
| 5000+ | 67.81 грн |
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 8623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC070N10LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)