Технічний опис BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC070N10NS3GATMA1 за ціною від 42.07 грн до 141.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 700000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 46289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V |
на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 56.59 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 700000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 72.08 грн |
| 350000+ | 65.86 грн |
| 525000+ | 61.29 грн |
| 700000+ | 55.74 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 389+ | 91.07 грн |
| 500+ | 81.97 грн |
| 1000+ | 75.58 грн |
| 10000+ | 64.99 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.90 грн |
| 195+ | 72.59 грн |
| 500+ | 61.38 грн |
| 1000+ | 56.44 грн |
| 2500+ | 51.99 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 115.03 грн |
| 133+ | 106.55 грн |
| 175+ | 81.28 грн |
| 200+ | 76.56 грн |
| 1000+ | 70.80 грн |
| 2000+ | 67.73 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.78 грн |
| 10+ | 94.78 грн |
| 100+ | 72.50 грн |
| 500+ | 59.12 грн |
| 1000+ | 52.19 грн |
| 2500+ | 49.85 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.03 грн |
| 10+ | 87.23 грн |
| 100+ | 59.11 грн |
| 500+ | 44.17 грн |
| 1000+ | 42.07 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC070N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)