Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC070N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2783448-3
Price: 208800.00 UAH
Availability: InStock

BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	41.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS3GATMA1 за ціною від 39.97 грн до 180.21 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	50.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	54.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 700000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	64.72 грн
350000+	59.14 грн
525000+	55.04 грн
700000+	50.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	78.24 грн
500+	58.53 грн
1000+	50.56 грн
5000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 46289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
389+	81.78 грн
500+	73.61 грн
1000+	67.87 грн
10000+	58.36 грн

Мінімальне замовлення: 389

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
150+	85.22 грн
195+	65.19 грн
500+	55.12 грн
1000+	50.68 грн
2500+	46.69 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
123+	103.30 грн
133+	95.68 грн
175+	72.99 грн
200+	68.75 грн
1000+	63.58 грн
2000+	60.82 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	115.24 грн
10+	91.19 грн
100+	69.75 грн
500+	56.88 грн
1000+	50.21 грн
2500+	47.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 19035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	155.12 грн
10+	95.75 грн
100+	64.89 грн
500+	48.50 грн
1000+	46.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	165.48 грн
10+	105.44 грн
100+	61.36 грн
500+	49.37 грн
1000+	46.23 грн
5000+	39.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 7577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	180.21 грн
10+	116.92 грн
100+	78.24 грн
500+	58.53 грн
1000+	50.56 грн
5000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.