Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS3GATMA1
BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS3GATMA1 за ціною від 38.84 грн до 160.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 700000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+62.18 грн
350000+56.82 грн
525000+52.87 грн
700000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.87 грн
500+56.73 грн
1000+47.82 грн
5000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 46289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
389+78.57 грн
500+70.71 грн
1000+65.20 грн
10000+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+81.87 грн
195+62.62 грн
500+52.95 грн
1000+48.68 грн
2500+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+99.23 грн
133+91.91 грн
175+70.12 грн
200+66.04 грн
1000+61.08 грн
2000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+110.71 грн
10+87.60 грн
100+67.01 грн
500+54.64 грн
1000+48.24 грн
2500+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.71 грн
10+104.24 грн
100+75.87 грн
500+56.73 грн
1000+47.82 грн
5000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 20919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.13 грн
10+91.79 грн
100+62.24 грн
500+46.51 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS3 G-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.83 грн
10+102.48 грн
100+59.64 грн
500+47.98 грн
1000+44.94 грн
5000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.