Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS3GATMA1
BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS3GATMA1 за ціною від 40.47 грн до 156.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.36 грн
500+51.78 грн
1000+44.59 грн
5000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+79.62 грн
200+60.97 грн
500+52.38 грн
1000+47.49 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+100.62 грн
130+94.13 грн
180+67.76 грн
200+63.14 грн
2000+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.81 грн
10+96.87 грн
100+69.36 грн
500+51.78 грн
1000+44.59 грн
5000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+143.77 грн
10+98.13 грн
100+66.80 грн
500+52.65 грн
1000+45.05 грн
2500+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 29375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.43 грн
10+89.42 грн
100+60.54 грн
500+45.71 грн
1000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS3_G_DataSheet_v02_02_EN-3360898.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.62 грн
10+103.48 грн
100+61.54 грн
500+49.49 грн
1000+47.60 грн
2500+47.02 грн
5000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.