Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS3GATMA1
BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS3GATMA1 за ціною від 41.03 грн до 158.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 425000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.31 грн
500+52.49 грн
1000+45.20 грн
5000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+79.81 грн
200+61.12 грн
500+52.50 грн
1000+47.60 грн
2500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+100.86 грн
130+94.35 грн
180+67.92 грн
200+63.30 грн
2000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.57 грн
10+98.21 грн
100+70.31 грн
500+52.49 грн
1000+45.20 грн
5000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 27382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
10+87.98 грн
100+61.38 грн
500+46.35 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+144.12 грн
10+98.37 грн
100+66.96 грн
500+52.78 грн
1000+45.16 грн
2500+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS3_G_DataSheet_v02_02_EN-3360898.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.78 грн
10+104.91 грн
100+62.39 грн
500+50.17 грн
1000+48.26 грн
2500+47.67 грн
5000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns3g-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.