BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 55.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC070N10NS3GATMA1 за ціною від 35.31 грн до 172.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 700000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 46289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V |
на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 92A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |