BSC070N10NS5 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 184.45 грн |
| 80+ | 177.41 грн |
| 100+ | 171.39 грн |
| 250+ | 160.26 грн |
| 500+ | 144.35 грн |
| 1000+ | 135.19 грн |
| 2500+ | 132.21 грн |
| 5000+ | 129.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
77 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC070N10NS5 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 80A, On-state resistance: 7mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 320A, Gate charge: 30nC, Version: ESD.
Інші пропозиції BSC070N10NS5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC070N10NS5 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC070N10NS5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Gate charge: 30nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC070N10NS5 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSC070N10NS5 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику
од. на суму грн.