Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 40.11 грн до 147.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+59.43 грн
225+57.78 грн
500+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+65.17 грн
90000+59.55 грн
135000+55.41 грн
180000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+66.26 грн
202+64.37 грн
234+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.39 грн
11+71.00 грн
25+68.97 грн
100+57.61 грн
250+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+82.57 грн
500+74.31 грн
1000+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+82.57 грн
500+74.31 грн
1000+68.53 грн
10000+58.92 грн
100000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+82.57 грн
500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.64 грн
250+69.04 грн
1000+50.80 грн
3000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.01 грн
10+76.37 грн
25+62.20 грн
100+49.14 грн
250+47.03 грн
500+43.17 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+107.96 грн
127+103.13 грн
250+98.99 грн
500+92.01 грн
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 24013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.94 грн
10+87.84 грн
100+59.49 грн
500+44.43 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.42 грн
50+96.64 грн
250+69.04 грн
1000+50.80 грн
3000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.