BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 39.20 грн до 152.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1032094116031800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a0bf29.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+58.08 грн
225+56.48 грн
500+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+63.70 грн
90000+58.20 грн
135000+54.16 грн
180000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+64.77 грн
202+62.91 грн
234+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.57 грн
11+69.39 грн
25+67.40 грн
100+56.30 грн
250+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+80.70 грн
500+72.63 грн
1000+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+80.70 грн
500+72.63 грн
1000+66.98 грн
10000+57.59 грн
100000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+80.70 грн
500+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.83 грн
250+67.77 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+105.52 грн
127+100.79 грн
250+96.75 грн
500+89.93 грн
1000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.47 грн
10+86.25 грн
25+70.25 грн
100+55.50 грн
250+53.12 грн
500+48.76 грн
1000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.96 грн
50+89.83 грн
250+67.77 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 16897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.66 грн
10+93.99 грн
100+63.66 грн
500+47.55 грн
1000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.