BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 39.79 грн |
| 10000+ | 36.02 грн |
| 15000+ | 35.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 38.87 грн до 171.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 185000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1025000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V |
на замовлення 19414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 |
на замовлення 7092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon |
N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |