Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 25.12 грн до 143.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1032094116031800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a0bf29.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.55 грн
256+47.78 грн
349+35.06 грн
367+32.16 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.27 грн
11+57.99 грн
25+56.25 грн
100+47.00 грн
250+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+77.52 грн
500+69.76 грн
1000+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+77.52 грн
500+69.76 грн
1000+64.34 грн
10000+55.31 грн
100000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+77.52 грн
500+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.35 грн
250+71.28 грн
1000+48.34 грн
3000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+107.60 грн
119+102.78 грн
250+98.67 грн
500+91.71 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 16652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.18 грн
10+84.26 грн
100+60.95 грн
500+46.74 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.44 грн
50+97.35 грн
250+71.28 грн
1000+48.34 грн
3000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN-3360694.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 12852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.50 грн
10+102.40 грн
25+83.76 грн
100+64.52 грн
250+64.22 грн
500+51.92 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.