Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 19414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+40.33 грн
10000+36.51 грн
15000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 39.40 грн до 201.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.83 грн
250+79.19 грн
1000+55.51 грн
3000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.50 грн
127+112.24 грн
250+107.75 грн
500+100.14 грн
1000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.77 грн
116+122.53 грн
160+88.43 грн
250+84.42 грн
500+61.48 грн
1000+54.13 грн
3000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+123.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 19414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.45 грн
10+93.15 грн
100+63.11 грн
500+47.14 грн
1000+43.25 грн
2000+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+100.51 грн
100+58.99 грн
500+48.99 грн
1000+43.91 грн
2500+41.02 грн
5000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.19 грн
50+111.83 грн
250+79.19 грн
1000+55.51 грн
3000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.34 грн
118+120.62 грн
160+88.42 грн
500+68.69 грн
1000+58.61 грн
2000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.91 грн
10+123.77 грн
25+122.53 грн
100+85.28 грн
250+78.17 грн
500+59.02 грн
1000+54.13 грн
3000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+111.83 грн
250+79.19 грн
1000+55.51 грн
3000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
121+117.50 грн
127+112.24 грн
250+107.75 грн
500+100.14 грн
1000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
115+123.77 грн
116+122.53 грн
160+88.43 грн
250+84.42 грн
500+61.48 грн
1000+54.13 грн
3000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+123.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 19414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.45 грн
10+93.15 грн
100+63.11 грн
500+47.14 грн
1000+43.25 грн
2000+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+159.53 грн
10+100.51 грн
100+58.99 грн
500+48.99 грн
1000+43.91 грн
2500+41.02 грн
5000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+184.19 грн
50+111.83 грн
250+79.19 грн
1000+55.51 грн
3000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+186.34 грн
118+120.62 грн
160+88.42 грн
500+68.69 грн
1000+58.61 грн
2000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+201.91 грн
10+123.77 грн
25+122.53 грн
100+85.28 грн
250+78.17 грн
500+59.02 грн
1000+54.13 грн
3000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.