Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 45.48 грн до 201.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+86.64 грн
500+77.97 грн
1000+71.91 грн
10000+61.82 грн
100000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+86.64 грн
500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+86.64 грн
500+77.97 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.89 грн
137+103.76 грн
161+88.20 грн
250+84.20 грн
500+61.57 грн
1000+54.50 грн
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+94.61 грн
50+71.48 грн
100+60.06 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.00 грн
250+144.41 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.83 грн
10+125.43 грн
50+106.56 грн
100+88.66 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.83 грн
114+125.43 грн
134+106.56 грн
155+88.66 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.97 грн
10+123.89 грн
25+103.76 грн
100+85.05 грн
250+77.96 грн
500+59.11 грн
1000+54.50 грн
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc070n10ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 21193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
410+86.64 грн
500+77.97 грн
1000+71.91 грн
10000+61.82 грн
100000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
410+86.64 грн
500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
410+86.64 грн
500+77.97 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+123.89 грн
137+103.76 грн
161+88.20 грн
250+84.20 грн
500+61.57 грн
1000+54.50 грн
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.55 грн
10+94.61 грн
50+71.48 грн
100+60.06 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+164.00 грн
250+144.41 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+193.83 грн
10+125.43 грн
50+106.56 грн
100+88.66 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+193.83 грн
114+125.43 грн
134+106.56 грн
155+88.66 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+201.97 грн
10+123.89 грн
25+103.76 грн
100+85.05 грн
250+77.96 грн
500+59.11 грн
1000+54.50 грн
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 infineon_bsc070n10ns5_datasheet_en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 21193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.