Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 37.84 грн до 133.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1032094116031800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a0bf29.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+56.07 грн
225+54.52 грн
500+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.49 грн
90000+56.18 грн
135000+52.28 грн
180000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+62.52 грн
202+60.73 грн
234+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.84 грн
11+66.98 грн
25+65.06 грн
100+54.35 грн
250+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+77.90 грн
500+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1025000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+77.90 грн
500+70.11 грн
1000+64.66 грн
10000+55.59 грн
100000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+77.90 грн
500+70.11 грн
1000+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.64 грн
250+64.66 грн
1000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+101.85 грн
127+97.29 грн
250+93.40 грн
500+86.80 грн
1000+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 13655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.55 грн
10+78.08 грн
100+56.51 грн
500+45.59 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
на замовлення 9625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.78 грн
10+85.25 грн
25+72.24 грн
100+53.71 грн
250+50.68 грн
500+46.52 грн
1000+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.22 грн
50+91.64 грн
250+64.66 грн
1000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.