Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC070N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5413654-3
Price: 206500.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 38.93 грн до 154.16 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	48.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

1032094116031800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a0bf29.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	49.51 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	51.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
219+	57.68 грн
225+	56.08 грн
500+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 219

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	63.26 грн
90000+	57.80 грн
135000+	53.78 грн
180000+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
197+	64.32 грн
202+	62.47 грн
234+	54.12 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	78.03 грн
11+	68.91 грн
25+	66.94 грн
100+	55.91 грн
250+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
394+	80.14 грн
500+	72.13 грн

Мінімальне замовлення: 394

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1025000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
394+	80.14 грн
500+	72.13 грн
1000+	66.52 грн
10000+	57.19 грн
100000+	44.36 грн

Мінімальне замовлення: 394

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
394+	80.14 грн
500+	72.13 грн
1000+	66.52 грн

Мінімальне замовлення: 394

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	89.21 грн
250+	67.30 грн
1000+	54.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
121+	104.79 грн
127+	100.09 грн
250+	96.08 грн
500+	89.30 грн
1000+	79.99 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8

на замовлення 3799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	116.66 грн
10+	85.65 грн
25+	69.76 грн
100+	55.11 грн
250+	52.75 грн
500+	48.42 грн
1000+	46.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	128.07 грн
50+	89.21 грн
250+	67.30 грн
1000+	54.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V

на замовлення 17517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	154.16 грн
10+	95.06 грн
100+	64.38 грн
500+	48.09 грн
1000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC070N10NS5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.