BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 67.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 0.006 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC070N10NS5SCATMA1 за ціною від 69.45 грн до 210.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 0.006 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V |
на замовлення 7824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 0.006 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 3699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SQUARE FLANGE RECEPTACLE |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |