BSC072N03LDGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC072N03LDGATMA1 - BSC072N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC072N03LDGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC072N03LDGATMA1 - BSC072N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: TBC, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSC072N03LDGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC072N03LDGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC072N03LDGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSC072N03LDGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.