Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC072N04LDATMA1
BSC072N04LDATMA1

BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc072n04ld-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC072N04LDATMA1 за ціною від 30.77 грн до 154.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : INFINEON 3154611.pdf Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.50 грн
250+72.45 грн
1000+49.74 грн
3000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC072N04LD_DS_v02_00_EN-1578830.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.67 грн
10+74.10 грн
100+50.22 грн
500+40.06 грн
1000+33.74 грн
2500+32.58 грн
5000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : INFINEON 3154611.pdf Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.85 грн
50+98.50 грн
250+72.45 грн
1000+49.74 грн
3000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.64 грн
10+95.09 грн
100+64.33 грн
500+48.00 грн
1000+44.02 грн
2000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n04ld-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n04ld-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.