Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC072N08NS5ATMA1
BSC072N08NS5ATMA1

BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC072N08NS5ATMA1 за ціною від 43.55 грн до 100.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.60 грн
12+51.97 грн
25+51.86 грн
100+47.18 грн
250+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.02 грн
250+65.69 грн
1000+54.42 грн
3000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 18615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.49 грн
10+68.48 грн
100+56.40 грн
500+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC072N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360753.pdf MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
на замовлення 38301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.97 грн
10+75.36 грн
25+63.35 грн
100+55.51 грн
250+52.61 грн
500+50.94 грн
1000+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+94.78 грн
500+85.31 грн
1000+78.67 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.13 грн
50+80.02 грн
250+65.69 грн
1000+54.42 грн
3000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.