Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC072N08NS5ATMA1
BSC072N08NS5ATMA1

BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.60 грн
10000+34.92 грн
15000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.

Інші пропозиції BSC072N08NS5ATMA1 за ціною від 39.75 грн до 179.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 29608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.68 грн
10+89.77 грн
100+60.70 грн
500+45.25 грн
1000+41.48 грн
2000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.16 грн
10+122.61 грн
25+121.38 грн
50+115.87 грн
100+77.17 грн
250+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.16 грн
116+122.61 грн
117+121.38 грн
118+115.87 грн
164+77.17 грн
255+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC072N08NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
на замовлення 16574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 10262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 10262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 29608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.68 грн
10+89.77 грн
100+60.70 грн
500+45.25 грн
1000+41.48 грн
2000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+179.16 грн
10+122.61 грн
25+121.38 грн
50+115.87 грн
100+77.17 грн
250+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.16 грн
116+122.61 грн
117+121.38 грн
118+115.87 грн
164+77.17 грн
255+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon_BSC072N08NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
на замовлення 16574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 10262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 10262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.